Оперативная память Samsung

DDR2, 2 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 800 МГц, Тайминги - CL6, Напряжение питания - 1.8 В

DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, non-ECC, нет

Память для настольных компьютеров 2 ГБ DDR2 800 МГц штатные тайминги: CL6-6-6-15 рабочее напряжение: 1,8 В .

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, нет

Память для ноутбуков 8 ГБ DDR4 2400 МГц Штатные тайминги: CL17 Рабочее напряжение: 1,2B.

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе – 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC, нет

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе – 1, Частота памяти – 3200 МГц, Тайминги – CL22, Напряжение питания – 1.2 В, Подсветка – нет

Форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3
Объём памяти: 2 ГБ

для серверов, DDR3, CL11

Стандарт: DDR5
Тип: UDIMM
Объем: 16 ГБ

Стандарт: DDR5
Тип: UDIMM
Объем: 32 ГБ

Объем одного модуля – 8 ГБ / Количество модулей в комплекте – 1 / Частота памяти – 1600 МГц / CAS Latency (CL) – CL11 / Схема таймингов – 11-11-11 / Напряжение питания – 1.5В

Стандарт: DDR4
Тип: UDIMM
Объем: 32 ГБ

Память для серверов 16 ГБ DDR4 2133 МГц Рабочее напряжение: 1,2B.

Объем памяти: 32 ГБ
Частота памяти: 4800 МГц
Тип памяти: DDR5
Напряжение питания: 1.1 В
Стандарты памяти: PC5-38400
Дополнительно: ECC, Registered

Стандарт: DDR3
Тип: LRDIMM
Объем: 32 ГБ

DDR4, 32 ГБ, В наборе – 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC, нет

3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 1Rx4

3200 МГц, CL17, 1.2 В, ECC, Unbuffered, 1Rx8

Объем памяти 64 ГБ Частота памяти 4800 МГц Тип памяти DDR5 SDRAM Назначение Серверная память Количество планок 1

Память для настольных компьютеров 8 ГБ DDR4 3200 МГц штатные тайминги: CL22 рабочее напряжение: 1,2B.