Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02) работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Модуль памяти DR3 4GB 1600 MHz Silicon Power имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Тип памяти
|
DDR3 |
Объем памяти
|
4 ГБ |
Частота памяти
|
1600 МГц |
Количество модулей в наборе
|
1 |
Тайминги
|
CL11 |
Напряжение питания
|
1.35 В |
Охлаждение
|
нет |
Модель
|
DDR3 4GB 1600 MHz |
Страна производства
|
США |
Примечание
|
Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку. |
Штрихкод
|
4712702631647 |